Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

(oral talk) Comparison of boron-oxygen and copper-related light-induced degradation in silicon

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiEi sovellu
TapahtumaConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology - Bad Staffelstein, Saksa
Kesto: 20 syysk. 201525 syysk. 2015
Konferenssinumero: 16

Conference

ConferenceConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
LyhennettäGADEST
Maa/AlueSaksa
KaupunkiBad Staffelstein
Ajanjakso20/09/201525/09/2015

Siteeraa tätä