Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

(oral talk) Analysis of the Atomic Layer Deposited Al2O3 field-effect passivation in black silicon

  • Guillaume von Gastrow
  • , Ramon Alcubilla
  • , Pablo Ortega
  • , Marko Yli-Koski
  • , Sònia Conesa-Boj
  • , Anna Fontcuberta i Morral
  • , Hele Savin
  • Polytechnic University of Catalonia
  • Swiss Federal Institute of Technology Lausanne

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiEi sovellu
TapahtumaInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics - Konstanz, Saksa
Kesto: 23 maalisk. 201525 maalisk. 2015
Konferenssinumero: 5

Conference

ConferenceInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics
LyhennettäSiliconPV
Maa/AlueSaksa
KaupunkiKonstanz
Ajanjakso23/03/201525/03/2015

Tutkimusalat

  • Al2O3
  • atomic layer deposition
  • nano-texturing
  • negative charge
  • reactive ion etching
  • surface passivation

Siteeraa tätä