Optoelectronic properties of black silicon fabricated by femtosecond laser in ambient air: exploring a large parameter space

Behrad Radfar, Kexun Chen, Olli Setälä, Ville Vähänissi, Hele Savin, Xiaolong Liu*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

We study the surface morphology, optical absorption (400–1100 nm), and carrier lifetime of black silicon fabricated by femtosecond (fs) laser in air. We explore a large laser parameter space, for which we adopt a single parameter ξ to describe the cumulative fluence delivered to the sample. We also study the laser-oxidized surface layer by measuring its photoluminescence spectra and comparing its effect on the aforementioned properties. Our study in a broad range of ξ is instructive in choosing laser parameters when targeting different applications.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1224 - 1227
Sivumäärä4
JulkaisuOptics Letters
Vuosikerta48
Numero5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 maalisk. 2023
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Optoelectronic properties of black silicon fabricated by femtosecond laser in ambient air: exploring a large parameter space'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä