Optically excited THz generation from ordered arrays of GaAs nanowires

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • RAS - Ioffe Physico Technical Institute
  • St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO)
  • RAS - St. Petersburg Academic University

Kuvaus

THz generation under excitation by ultrashort optical pulses from ordered arrays of GaAs nanowires is reported. It was found that the efficiency of THz generation is determined by the geometrical parameters of nanostructures and has a resonant character. Furthermore, it is shown that the terahertz generation efficiency at optimum geometrical parameters of an array of semiconductor nanowires is greater than the corresponding value for bulk semiconductor p-InAs which is the most effective THz emitter.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko3rd International Conference “Information Technology and Nanotechnology” , ITNT- 2017, 25-27 April 2017, Samara, Russia
TilaJulkaistu - 2017
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Information Technology and Nanotechnology - Samara, Venäjä
Kesto: 25 huhtikuuta 201727 huhtikuuta 2017
Konferenssinumero: 3

Julkaisusarja

NimiProcedia Engineering
ISSN (elektroninen)1877-7058

Conference

ConferenceInternational Conference on Information Technology and Nanotechnology
LyhennettäITNT
MaaVenäjä
KaupunkiSamara
Ajanjakso25/04/201727/04/2017

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 17036148