Optical transitions of silicon vacancy in 6H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy

S. Arpiainen, K. Saarinen, P. Hautojärvi, L. Henry, M.-F. Barthe, C. Corbel

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

37 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta66
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • positron
  • SiC

Siteeraa tätä