Optical detection of hot-electron spin injection into GaAs from a magnetic tunnel transistor source

Xin Jiang, R. Wang, S. van Dijken, R. Shelby, R. Macfarlane, G. S. Solomon, J. Harris, S. S P Parkin

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

97 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Injection of spin-polarized hot-electron current from a magnetic tunnel transistors into GaAs was discussed. Polarized light which is emitted from a GaAs/In0.2Ga0.8As multiple quantum well light-emitting diodes was studied. Results showed that polarization has strong dependence on the bias voltage across the diode.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli256603
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review Letters
Vuosikerta90
Numero25
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - kesäkuuta 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Optical detection of hot-electron spin injection into GaAs from a magnetic tunnel transistor source'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä