Optical and structural studies of high-quality bulk-like GaN grown by HVPE on a MOVPE AlN buffer layer

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

  • D. Gogova
  • D. Siche
  • R. Fornari
  • B. Monemar
  • P. Gibart
  • L. Dobos
  • B. Pecz
  • Filip Tuomisto

  • R. Bayazitov
  • G. Zollo

Organisaatiot

  • Leibniz Institute for Crystal Growth
  • Bulgarian Academy of Sciences
  • Linköping University
  • LUMILOG
  • Hungarian Academy of Sciences
  • Russian Academy of Sciences
  • University of Rome La Sapienza

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut702-708
Sivumäärä7
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Vuosikerta21
Numero5
TilaJulkaistu - 3 huhtikuuta 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • AlN, GaN, HVPE

ID: 3495669