Optical and structural studies of high-quality bulk-like GaN grown by HVPE on a MOVPE AlN buffer layer

D. Gogova, D. Siche, R. Fornari, B. Monemar, P. Gibart, L. Dobos, B. Pecz, F. Tuomisto, R. Bayazitov, G. Zollo

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

18 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut702-708
Sivumäärä7
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Vuosikerta21
Numero5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 3 huhtikuuta 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • AlN
  • GaN
  • HVPE

Siteeraa tätä