On the use of total reflection x-ray topography for the observation of misfit dislocation strain at the surface of a Si/Ge-Si heterostructure

P.J. McNally, G. Dilliway, J.M. Bonar, A. Willoughby, T. Tuomi, R. Rantamäki, A.N. Danilewsky, D. Lowney

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    4 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut1644-1646
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Numero77
    TilaJulkaistu - 2000
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • dislocations
    • silicon-germanium
    • strain
    • synchrotron x-ray topography

    Siteeraa tätä