On the reliability of nanoindentation hardness of Al2O3 films grown on Si-wafer by atomic layer deposition

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

11 Sitaatiot (Scopus)
298 Lataukset (Pure)
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli01A116
Sivut1-6
Sivumäärä6
JulkaisuJOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A
Vuosikerta32
Numero1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Siteeraa tätä