On the formation of vacancy defects in III-nitride semiconductors

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut93-97
Sivumäärä5
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta350
Numero1
TilaJulkaistu - 1 heinäkuuta 2012
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • AlN, GaN, InN, positron, vacancy

ID: 795589