On the Fabrication of Graphene p–n Junctions and Their Application for Detecting Terahertz Radiation

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • G. Yu Vasileva
  • Yu B. Vasilyev
  • S. N. Novikov
  • S. N. Danilov
  • S. D. Ganichev

Organisaatiot

  • Ioffe Institute
  • University of Regensburg

Kuvaus

A new method for the formation of lateral p–n junctions in epitaxial graphene with the use of UV (ultraviolet) radiation is considered. The UV illumination method makes it possible to obtain large-size p–n junctions. Such p–n junctions are investigated in the photocurrent and photoconductivity modes under irradiation with terahertz radiation. The mechanisms of terahertz photoresponse in graphene p–n junctions are discussed.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1077-1081
Sivumäärä5
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta52
Numero8
TilaJulkaistu - 1 elokuuta 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 27085822