Observation of interface defects in thermally oxidized SiC using positron annihilation

J. Dekker, Kimmo Saarinen, H. Olafsson, E. Sveinbjörnsson

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

25 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta82
TilaJulkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • positron
  • SiC

Siteeraa tätä