OBSERVATION OF IMPURITY STATES IN HIGH-RESISTIVITY GALLIUM-ARSENIDE BY THE PHOTOREFLECTION METHOD

A. N. Pikhtin, V. M. Airaksinen, H. Lipsanen, T. Tuomi

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut797-798
Sivumäärä2
JulkaisuSoviet Physics - Semiconductors
Vuosikerta23
Numero7
TilaJulkaistu - heinäkuuta 1989
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Siteeraa tätä