Novel nanostructure replication process for robust superhydrophobic surfaces

Sasha Hoshian*, Ville Jokinen, Sami Franssila

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

This paper reports a novel nanoreplication process. It consists of metal nanostructuring by acidic etching, atomic layer deposition (ALD) of TiO2 and polymer replication. Due to excellent conformality of ALD, the nanostructures are accurately covered. After polydimethylsiloxane (PDMS) casting, the metal is completely etched away, revealing the nanostructured TiO2/PDMS surface. Because no peeling is used, even retrograde structures can be released easily. The surface is superhydrophobic, and it repels water, wine and coffee. The surface is both flexible and damage tolerant: it retains its Cassie-state superhydrophobicity even after wear and damage.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProceedings of the IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)
KustantajaIEEE
Sivut547-549
Sivumäärä3
ISBN (elektroninen)9781509019731
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 26 helmikuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems - Shanghai, Kiina
Kesto: 24 tammikuuta 201628 tammikuuta 2016
Konferenssinumero: 29

Julkaisusarja

Nimi
ISSN (painettu)1084-6999

Conference

ConferenceIEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems
LyhennettäMEMS
MaaKiina
KaupunkiShanghai
Ajanjakso24/01/201628/01/2016

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Novel nanostructure replication process for robust superhydrophobic surfaces'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Laitteet

  • Siteeraa tätä

    Hoshian, S., Jokinen, V., & Franssila, S. (2016). Novel nanostructure replication process for robust superhydrophobic surfaces. teoksessa Proceedings of the IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) (Sivut 547-549). IEEE. https://doi.org/10.1109/MEMSYS.2016.7421683