Noise measurements on single electron transistors using bias switching read-out

P. J. Hakonen, M. Kiviranta, J. S. Penttilä, M. A. Paalanen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut227-229
Sivumäärä3
JulkaisuEUROPEAN PHYSICAL JOURNAL: APPLIED PHYSICS
Vuosikerta11
Numero3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2000
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • single electron devices, Cloulomb blockade, single-electron tunneling

Siteeraa tätä