Nitrogen-polar polarization-doped field-effect transistor based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC with drain current over 100 mA/mm

Jori Lemettinen*, Nadim Chowdhury, Hironori Okumura, Iurii Kim, Sami Suihkonen, Tomas Palacios

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

5 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

This letter reports the demonstration of N-polar Al0.8Ga0.2N/AlN continuously-graded-channel polarization-doped field-effect transistors (PolFETs) on SiC. A PolFET with a source to drain distance of 12 μm exhibited a maximum drain current of 62.8 mA/mm and an ON/OFF current ratio of 1.1× 104. The maximum drain current was stable between 20 °C and 250 °C operating temperatures. With the addition of 30-nm-thick Al2O3 gate insulator the maximum drain current increased to 126 mA/mm.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli8741077
Sivut1245-1248
Sivumäärä4
JulkaisuIEEE Electron Device Letters
Vuosikerta40
Numero8
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 elokuuta 2019
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Nitrogen-polar polarization-doped field-effect transistor based on Al<sub>0.8</sub>Ga<sub>0.2</sub>N/AlN on SiC with drain current over 100 mA/mm'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä