Nitrogen content of GaAsN quantum wells by in-situ monitoring during MOVPE growth

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut345-349
Sivumäärä5
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta290
Numero2
TilaJulkaistu - 1 toukokuuta 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 3586801