Nd-doped Bismuth Titanate based ferroelectric field effect transistor: Design, fabrication, and optimization

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

  • T. Feng
  • D. Xie
  • Y. Zang
  • X. Wu
  • Y. Luo
  • T. Ren
  • M. Bosund
  • S. Li
  • V.-M. Airaksinen
  • Harri Lipsanen

  • S. Honkanen

Organisaatiot

  • Tsinghua University
  • McGill University
  • University of Electronic Science and Technology of China

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2011 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2011
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits - Tianjin , Kiina
Kesto: 17 marraskuuta 201118 marraskuuta 2011

Conference

ConferenceIEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits
LyhennettäEDSSC
MaaKiina
KaupunkiTianjin
Ajanjakso17/11/201118/11/2011

ID: 665321