Nd-doped Bismuth Titanate based ferroelectric field effect transistor: Design, fabrication, and optimization

T. Feng, D. Xie, Y. Zang, Xaio Wu, Y. Luo, T. Ren, M. Bosund, S. Li, V.-M. Airaksinen, H. Lipsanen, S. Honkanen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2011 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2011
KustantajaIEEE
Sivut1-2
Sivumäärä2
ISBN (elektroninen)978-1-4577-1996-7
ISBN (painettu)978-1-4577-1998-1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits - Tianjin , Kiina
Kesto: 17 marraskuuta 201118 marraskuuta 2011

Conference

ConferenceIEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits
LyhennettäEDSSC
Maa/AlueKiina
KaupunkiTianjin
Ajanjakso17/11/201118/11/2011

Siteeraa tätä