N-polar AlN buffer growth by metal-organic vapor phase epitaxy for transistor applications

Jori Lemettinen*, Hironori Okumura, Tomas Palacios, Sami Suihkonen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

16 Sitaatiot (Scopus)
121 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We present the electrical characterization of N-polar AlN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy and the demonstration of N-polar AlN-channel metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). A high concentration of silicon is unintentionally incorporated during the high-temperature growth of N-polar AlN, causing a high buffer leakage current. The silicon concentration decreases from 2 x 10(18) to 9 x 10(15) cm(-3) with decreasing growth temperature, reducing the buffer leakage current to 5.6 nA/mm at a 100 V bias. The N-polar AlN MESFET exhibits an off-state drain current of 0.27 nA/mm and a transistor on/off ratio of 4.6 x 10(4) owing to the low leakage of AlN buffer layers. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli101002
Sivumäärä4
JulkaisuApplied Physics Express
Vuosikerta11
Numero10
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - lokak. 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'N-polar AlN buffer growth by metal-organic vapor phase epitaxy for transistor applications'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä