MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality

J. Lemettinen*, H. Okumura, I. Kim, C. Kauppinen, T. Palacios, S. Suihkonen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

25 Sitaatiot (Scopus)
96 Lataukset (Pure)

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Engineering

Earth and Planetary Sciences