MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality

J. Lemettinen*, H. Okumura, I. Kim, C. Kauppinen, T. Palacios, S. Suihkonen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

24 Sitaatiot (Scopus)
95 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We present the effect of miscut angle of SiC substrates on N-polar AlN growth. The N-polar AlN layers were grown on C-face 4H-SiC substrates with a miscut towards 〈1¯100〉 by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). The optimal V/III ratios for high-quality AlN growth on 1° and 4° miscut substrates were found to be 20,000 and 1000, respectively. MOVPE grown N-polar AlN layer without hexagonal hillocks or step bunching was achieved using a 4H-SiC substrate with an intentional miscut of 1° towards 〈1¯100〉. The 200-nm-thick AlN layer exhibited X-ray rocking curve full width half maximums of 203 arcsec and 389 arcsec for (0 0 2) and (1 0 2) reflections, respectively. The root mean square roughness was 0.4 nm for a 2 μm×2μm atomic force microscope scan.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut12-16
Sivumäärä5
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta487
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 huhtik. 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä