Monte Carlo simulation of hot electron transport in III-N LEDs

Pyry Kivisaari*, Toufik Sadi, Jani Oksanen, Jukka Tulkki

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

    Abstrakti

    We study electron dynamics in a multi-quantum well (MQW) light-emitting diode (LED) using Monte Carlo simulation and show that at strong injection, Auger recombination in the quantum wells creates a hot electron population which is still visible at the p-contact 250 nm away from the MQW. The Auger-excited electrons also generate a leakage current that is notably larger than leakage predicted by drift-diffusion, indicating that electron leakage in III-N LEDs at strong injection is predominantly caused by Auger-excited hot electrons.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoProceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD
    KustantajaIEEE
    Sivut21-22
    Sivumäärä2
    ISBN (elektroninen)9781479936823
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 23 lokak. 2014
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
    TapahtumaInternational Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices - Palma de Mallorca, Espanja
    Kesto: 1 syysk. 20144 syysk. 2014
    Konferenssinumero: 14

    Conference

    ConferenceInternational Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices
    LyhennettäNUSOD
    Maa/AlueEspanja
    KaupunkiPalma de Mallorca
    Ajanjakso01/09/201404/09/2014

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Monte Carlo simulation of hot electron transport in III-N LEDs'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä