Modelling of the electronic structure and carrier dynamics of strain-induced quantum dots

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1425-1471
JulkaisuReports on Progress in Physics
Vuosikerta70
Numero8
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • excitons, gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, photoluminescence, semiconductor quantum dot

ID: 3623650