Modelling, fabrication and xharacterisation of 1.43 my m InGaAsp/InP quantum-well lasers.

Tutkimustuotos: Työpaperi

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisupaikkaJyväskylä
Sivut7
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Tutkimusalat

  • semiconductor lasers, metalorganic vapour phase epitaxy

ID: 5200240