Modeling, fabrication and characterization of 1.43 my m InGaAsP/InP separate confinement heterostructure multiple quantum-well lasers.

M. Taskinen, A. Heinämäki, Harri Lipsanen, J. Tulkki, T. Tuomi

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    2 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut2527-2531
    Sivumäärä5
    JulkaisuOptical engineering
    Vuosikerta34
    Numero9
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 1 syyskuuta 1995
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • semiconductor lasers, metalorganic vapour, phase epitaxy

    Siteeraa tätä