Modeling Bi-induced changes in the electronic structure of GaAs 1-xBix alloys

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Kuvaus

We suggested recently that the band-gap narrowing in dilute GaAs 1-xNx alloys can be explained to result from the broadening of the localized N states due to the N-N interaction along the zigzag chains in the âŒ

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli235201
Sivut1-6
Sivumäärä6
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta88
Numero23
TilaJulkaistu - 5 joulukuuta 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 6489146