MOCVD Growth and Characterization of Near-Surface InGaN/GaN Single Quantum Wells for Non-Radiative Coupling of Optical Exictations

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI); KTH, Tukholma,Ruotsi; 19.-23. Kesäkuuta 2011
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

ID: 608368