Mobility of Circular and Elliptical Si Nanowire Transistors Using a Multi-Subband 1D Formalism

C. Medina-Bailon, T. Sadi, M. Nedjalkov, H. Carrillo-Nunez, J. Lee, O. Badami, V. Georgiev, S. Selberherr, A. Asenov

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We have studied the impact of the cross-sectional shape on the electron mobility of n-type silicon nanowire transistors (NWTs). We have considered circular and elliptical cross-section NWTs including the most relevant multisubband scattering processes involving phonon, surface roughness, and impurity scattering. For this purpose, we use a flexible simulation framework, coupling 3D Poisson and 2D Schrödinger solvers with the semi-classical Kubo-Greenwood formalism. Moreover, we consider cross-section dependent effective masses calculated from tight binding simulations. Our results show significant mobility improvement in the elliptic NWTs in comparison to the circular one for both 100 and 110 transport directions.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1571-1574
Sivumäärä4
JulkaisuIEEE Electron Device Letters
Vuosikerta40
Numero10
Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä1 tammikuuta 2019
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 9 elokuuta 2019
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Mobility of Circular and Elliptical Si Nanowire Transistors Using a Multi-Subband 1D Formalism'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä

    Medina-Bailon, C., Sadi, T., Nedjalkov, M., Carrillo-Nunez, H., Lee, J., Badami, O., ... Asenov, A. (2019). Mobility of Circular and Elliptical Si Nanowire Transistors Using a Multi-Subband 1D Formalism. IEEE Electron Device Letters, 40(10), 1571-1574. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2934349