Misfit dislocations in GaAsN/GaAs interface

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Turku
  • Dublin City University

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut267-270
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Materials Science: Materials in Electronics
Vuosikerta14
Numero5
TilaJulkaistu - toukokuuta 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • dislocations, GaAsN, synchrotron x-ray topography

ID: 4149766