Minimum-Energy Point Design in FDSOI Regular-V-t

Lauri Koskinen*, Markus Hiienkari, Matthew Turnquist, Philippe Flatresse

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    Abstrakti

    FDSOI has been shown to achieve extremely high performance at low operating voltages: a use-case extremely well suited for applications such as mobile processing. In IoT and Dark Silicon, use cases with extremely low application active times per standby times can be found. Investigated here are the turnover points where the higher threshold voltage and longer channel length options of FDSOI should be used. It was found that for activity factors below 3.2% to 0.5%, depending on the voltage, the Regular V-T option of FDSOI should be used.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko2015 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)
    KustantajaIEEE
    Sivumäärä2
    ISBN (painettu)978-1-5090-0259-7
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2015
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
    TapahtumaIEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference - Rohnert Park, Kanada
    Kesto: 5 lokakuuta 20158 lokakuuta 2015

    Conference

    ConferenceIEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
    LyhennettäS3S
    MaaKanada
    KaupunkiRohnert Park
    Ajanjakso05/10/201508/10/2015

    Siteeraa tätä