Migration kinetics of ion-implanted beryllium in ZnO and GaN

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Helsinki
  • CERN
  • Institut Laue-Langevin

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli035603
Sivut1-5
Sivumäärä5
JulkaisuPhysica Scripta
Vuosikerta88
Numero3
TilaJulkaistu - 22 elokuuta 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 814727