Microscopic structure of the DX center in Si-doped AlxGa1-xAs: observation of a vacancy by positron annihilation spectroscopy

J. Mäkinen, T. Laine, K. Saarinen, P. Hautojärvi, C. Corbel, V.M. Airaksinen, J. Nagle

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

11 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta52
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • AlxGa1-xAs
  • DX center
  • positron

Siteeraa tätä