| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Patenttinumero | US9306097 |
| Prioriteetti päiväys | 05/04/2016 |
| Arkistointipäivä | 01/10/2012 |
| Tila | Julkaistu - 5 huhtik. 2016 |
| OKM-julkaisutyyppi | H1 Myönnetty patentti |
Siteeraa tätä
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver
Method for decreasing an excess carrier induced degradation in a silicon substrate
- Hele Savin (Keksijä)
- , Antti Haarahiltunen (Keksijä)
- , Marko Yli-Koski (Keksijä)
Tutkimustuotos: Patentti › Patent