Metallized Boron-Doped Black Silicon Emitters For Front Contact Solar Cells

Guillaume von Gastrow, Eric Calle, Pablo Ortega, Ramon Alcubilla, Andreana Daniil, Elias Z. Stutz, Anna Fontcuberta i Morral, Sebastian Husein, Tara Nietzold, Mariana Bertoni, Hele Savin

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

147 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We study doping and metallization of black silicon (bSi) boron emitters formed by ion implantation or diffusion. We demonstrate that conformal metal layers can be deposited on bSi by electron beam evaporation. Raman spectroscopy shows that high boron concentrations (4·10 19 cm -3 ) are obtained in bSi by ion implantation, while maintaining emitter saturation current (J 0e ) below 20 fA/cm 2 with Al 2 O 3 passivation. In diffused bSi emitters, doping increases to twice the values of planar substrates, reaching values up to 7·1020 cm -3 . Those doping values allow specific contact resistivities down to (0.3 ± 0.2) mΩ·cm 2 on boron-implanted bSi surfaces with nickel or aluminum contacts.
AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
KustantajaIEEE
Sivut944-947
Sivumäärä4
ISBN (elektroninen)978-1-5090-5605-7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2018
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaIEEE Photovoltaic Specialists Conference - Washington, Yhdysvallat
Kesto: 25 kesäk. 201730 kesäk. 2017
Konferenssinumero: 44

Conference

ConferenceIEEE Photovoltaic Specialists Conference
LyhennettäPVSC
Maa/AlueYhdysvallat
KaupunkiWashington
Ajanjakso25/06/201730/06/2017

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Metallized Boron-Doped Black Silicon Emitters For Front Contact Solar Cells'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä