Materials and technology issues for the next generation of power electronic devices

Ahmad Zubair, John Niroula, Nadim Chowdhury, Yuhao Zhang, Jori Lemettinen, Tomas Palacios*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

58 Lataukset (Pure)

Abstrakti

By 2030, about 80% of all US electricity is expected to flow through power electronics. This will require power electronic devices and circuits with much higher efficiency and smaller form-factor than today's silicon-based systems. III-Nitride semiconductors and other ultra-wide bandgap materials are ideal platforms for the new generation of power electronics thanks to the combination of excellent transport properties and the high critical electric field enabled by their wide bandgap [1]. This talk will discuss recent progress in our group in developing high voltage power transistors and diodes based on wide bandgap materials.

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2020 Device Research Conference, DRC 2020
KustantajaIEEE
Sivumäärä2
ISBN (elektroninen)9781728170473
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - kesäkuuta 2020
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaDevice Research Conference - Columbus, Yhdysvallat
Kesto: 21 kesäkuuta 202024 kesäkuuta 2020
Konferenssinumero: 78

Julkaisusarja

NimiDevice Research Conference
ISSN (painettu)1548-3770

Conference

ConferenceDevice Research Conference
LyhennettäDRC
Maa/AlueYhdysvallat
KaupunkiColumbus
Ajanjakso21/06/202024/06/2020

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Materials and technology issues for the next generation of power electronic devices'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä