Low Tempereture Growth GaAs on Ge

Lauri Knuuttila, Aapo Lankinen, J. Likonen, Harri Lipsanen, X. Lu, P. McNally, Juha Riikonen, Turkka Tuomi

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    25 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut7777-7788
    JulkaisuJapanese Journal of Applied Physics
    Vuosikerta44
    Numero11
    TilaJulkaistu - 2005
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • atomic force microscopy
    • GaAs
    • germanium substrate
    • metalorganic vapor phase epitaxy
    • photoluminescence
    • secondary ion mass spectrometry
    • x-ray diffraction
    • x-ray topography

    Siteeraa tätä

    Knuuttila, L., Lankinen, A., Likonen, J., Lipsanen, H., Lu, X., McNally, P., ... Tuomi, T. (2005). Low Tempereture Growth GaAs on Ge. Japanese Journal of Applied Physics, 44(11), 7777-7788.