Low temperature growth GaAs on Ge

L. Knuuttila*, A. Lankinen, J. Likonen, H. Lipsanen, X. Lu, P. McNally, J. Riikonen, T. Tuomi

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    25 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    In this work, low temperature growth of GaAs epitaxial layers on Ge substrates by metalorganic vapor phase epitaxy has been studied. The experiments show that a growth temperature of 530°C and a V/III ratio of 3.5 result in smooth GaAs surfaces. Atomic force micrographs do not show any anti-phase boundaries on the surface of GaAs grown on a misoriented substrate. X-ray diffraction curves show that the layer tilt is reduced as the growth temperature is lowered. Synchrotron X-ray topography reveals very low threading dislocation densities of 300 cm-2 for the GaAs epitaxial layers. Additionally, no misfit dislocations are observed. If a single layer is deposited at low temperature, secondary ion mass spectrometry shows a considerably reduced arsenic diffusion into Ge. When an additional layer is deposited at higher temperature on top of the initial low temperature layer, a substantial increase for the deep concentration-dependent arsenic diffusion is found.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut7777-7784
    Sivumäärä8
    JulkaisuJapanese Journal of Applied Physics
    Vuosikerta44
    Numero11
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 9 marraskuuta 2005
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Low temperature growth GaAs on Ge'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä

    Knuuttila, L., Lankinen, A., Likonen, J., Lipsanen, H., Lu, X., McNally, P., ... Tuomi, T. (2005). Low temperature growth GaAs on Ge. Japanese Journal of Applied Physics, 44(11), 7777-7784. https://doi.org/10.1143/JJAP.44.7777