Low-T anneal as cure for LeTID in Mc-Si PERC cells

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliConference articleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
65 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Light and elevated temperature induced degradation (LeTID) is known to be affected by the last dark anneal that the silicon wafers or cells experience prior to illumination. Here we study how low-temperature dark anneal performed on
fully processed multicrystalline silicon (mc-Si) passivated emitter and rear solar cells (PERC) influences LeTID characteristics, both the intensity of the degradation and the degradation kinetics. Our results show that a relatively long
anneal at 300 °C provides an efficient means to minimize LeTI D while too short dark anneal at the same temperature seems to have a negative impact on the subsequent degradation under light soaking. Finally, we compare the experimental results with the model originally developed for metal precipitation
and discuss the possibility of metals being involved in LeTID mechanism.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli140013
JulkaisuAIP CONFERENCE PROCEEDINGS
Vuosikerta2147
Numero1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 27 elokuuta 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics - Leuven, Belgia
Kesto: 8 huhtikuuta 201910 huhtikuuta 2019
Konferenssinumero: 9
https://www.siliconpv.com/home/

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Low-T anneal as cure for LeTID in Mc-Si PERC cells'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Projektit

    • 1 Päättynyt

    Riddle of light induced degradation in silicon photovoltaics

    Savin, H., Yli-Koski, M., Vähänissi, V., Laine, H., Huang, H., Inglese, A., Modanese, C., Heikkinen, I., Vahlman, H., Nampalli, N. & von Gastrow, G.

    01/12/201231/05/2018

    Projekti: EU: ERC grants

    Laitteet

    OtaNano

    Anna Rissanen (Manager)

    Aalto-yliopisto

    Laitteistot/tilat: Facility

  • Siteeraa tätä