Low Noise FET Frequency Doubler Design Using (P)HEMT and MESFET Technologies

P. Alinikula, V. Porra

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoInternational IEEE Workshop on Experimentally Based FET Device Modelling & Related Nonlinear Circuit Design, University of Kassel Germany, July 1997
    Sivut29
    TilaJulkaistu - 1997
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

    Tutkimusalat

    • frequency doubler
    • low noise FET

    Siteeraa tätä