Long-term stability of Al2O3 passivated black silicon

Eric Calle, Pablo Ortega, Guillaume von Gastrow, Isidro Martin, Hele Savin, Ramon Alcubilla

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)
102 Lataukset (Pure)

Abstrakti

In this work we report on the long-term stability of black silicon surfaces passivated with atomic layer deposited (ALD) 20 nm thick Al2O3 films on p- and n-type FZ c-Si substrates. The results are directly compared with random pyramid textured counterparts. The effective surface recombination velocity Seff has been measured within a time frame of one year after activation of surface passivation. The results demonstrate that after an initial slight degradation during the first month Seff values stabilize around 45 and 25 cm/s on p- and n-type black silicon samples, respectively. These values are enough to guarantee stable high efficiency in interdigitated back-contacted (IBC) c-Si(n) solar cells (> 24.5%) using black silicon nanostructures on the front side. Similar, although weaker, losses are also observed in surface passivation on textured samples covered by Al2O3 with equal thickness, indicating that the origin of the instability might be independent of surface morphology.
AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProceedings of the 6th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2016)
KustantajaElsevier
Sivut341-346
Sivumäärä6
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics - Chambéry, Ranska
Kesto: 7 maaliskuuta 20169 maaliskuuta 2016
Konferenssinumero: 6

Julkaisusarja

NimiENERGY PROCEDIA
KustantajaElsevier
Vuosikerta92
ISSN (elektroninen)1876-6102

Conference

ConferenceInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics
LyhennettäSiliconPV
MaaRanska
KaupunkiChambéry
Ajanjakso07/03/201609/03/2016

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Long-term stability of Al2O3 passivated black silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Laitteet

  • Siteeraa tätä

    Calle, E., Ortega, P., von Gastrow, G., Martin, I., Savin, H., & Alcubilla, R. (2016). Long-term stability of Al2O3 passivated black silicon. teoksessa Proceedings of the 6th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2016) (Sivut 341-346). (ENERGY PROCEDIA; Vuosikerta 92). Elsevier. https://doi.org/10.1016/j.egypro.2016.07.093