Light activated copper defects in p-type silicon studied by PCD

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • Marko Yli-Koski

  • Hele Väinölä
  • Antti Haarahiltunen
  • Jan Storgårds
  • Eero Saarnilehto
  • Juha Sinkkonen

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut69-72
JulkaisuPhysica Scripta
NumeroT114
TilaJulkaistu - 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • carrier lifetime, copper, corona charge, optical activation, photoconductive decay, precipitation, silicon

ID: 4152479