Light activated copper defects in p-type silicon studied by PCD

Marko Yli-Koski, Hele Väinölä, Antti Haarahiltunen, Jan Storgårds, Eero Saarnilehto, Juha Sinkkonen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut69-72
JulkaisuPhysica Scripta
NumeroT114
TilaJulkaistu - 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • carrier lifetime
  • copper
  • corona charge
  • optical activation
  • photoconductive decay
  • precipitation
  • silicon

Siteeraa tätä

Yli-Koski, M., Väinölä, H., Haarahiltunen, A., Storgårds, J., Saarnilehto, E., & Sinkkonen, J. (2004). Light activated copper defects in p-type silicon studied by PCD. Physica Scripta, (T114), 69-72.