Laterally proximized aluminum tunnel junctions

J.V. Koski, J.T. Peltonen, M. Meschke, J.P. Pekola

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

9 Sitaatiot (Scopus)
155 Lataukset (Pure)

Abstrakti

This letter presents experiments on junctions fabricated by a technique that enables the use of high-quality aluminum oxide tunnel barriers with normal metal electrodes at low temperatures. Inverse proximity effect is applied to diminish the superconductivity of an aluminum dot through a clean lateral connection to a normal metal electrode. To demonstrate the effectiveness of this method, fully normal-state single electron transistors (SETs) and normal metal-insulator-superconductor (NIS) junctions applying proximized Al junctions were fabricated. The transport characteristics of the junctions were similar to those obtained from standard theoretical models of regular SETs and NIS junctions.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli203501
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta98
Numero20
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • tunnel junctions

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Laterally proximized aluminum tunnel junctions'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä