Issues in first-principles calculations for defects in semiconductors and oxides

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuModelling and Simulation in Materials Science and Engineering
Vuosikerta17
TilaJulkaistu - 2009
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • first-principles modeling, points defects

ID: 3600844