Investigation of strain induced effects in silicon wafers due to proximity rapid thermal processing using micro-Raman spectroscopy and synhrotron x-ray topography

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

  • D. Lowney
  • T.S. Perova
  • M. Nolan
  • P.J. McNally
  • R.A. Moore
  • H.S. Gamble
  • T. Tuomi
  • R. Rantamäki
  • A.N. Danilewsky

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1081-1089
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Numero17
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • Raman spectrometry, silicon, strain, synchrotron x-ray topography

ID: 4149611