Investigation of strain induced effects in silicon wafers due to proximity rapid thermal processing using micro-Raman spectroscopy and synhrotron x-ray topography

D. Lowney, T.S. Perova, M. Nolan, P.J. McNally, R.A. Moore, H.S. Gamble, T. Tuomi, R. Rantamäki, A.N. Danilewsky

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    11 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut1081-1089
    JulkaisuSemiconductor Science and Technology
    Numero17
    TilaJulkaistu - 2002
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • Raman spectrometry
    • silicon
    • strain
    • synchrotron x-ray topography

    Siteeraa tätä