Introduction and recovery of point defects in electron-irradiated Te- and Si-doped GaAs studied by positron lifetime spectroscopy

K. Saarinen, A.P. Seitsonen, P. Hautojärvi, C. Corbel

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

33 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta52
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • GaAs
  • positron

Siteeraa tätä