Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin 'Interfacial oxide growth in silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.- Järjestys:
- Painoarvo
- Aakkosjärjestyksessä
Interfacial oxide growth in silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface
M. H. Hakala, A. S. Foster, J.L. Gavartin, P. Havu, M. J. Puska, R. M. Nieminen
Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
55
Sitaatiot
(Scopus)
215
Lataukset
(Pure)